芯片都是由晶体管组成的，好比的A16，有160亿个晶体管。而电流在晶体管内部，会从起始端（源极）流向终点（漏极）。
而电流流动过的历程中，会经由一个闸门（栅极），而栅极的宽度正是平时所说的芯片工艺，也就是XXnm，好比苹果A16就是4nm工艺，理论上栅极的宽度就是4nm。
而要提高芯片工艺，好比从4nm到3nm，再从3nm到2nm，就要缩短栅极的宽度。
而栅极的宽度小了，那么源极漏极间的距离就短了。这样造成的结果是源、漏南北极的电场对栅极发生滋扰，然后栅极对电流的控制能力大大下降，最后芯片不稳固，泄电，功耗增添，性能下降等等……
以前7nm、5nm、3nm时，这种情形还稍能够控制，从而不发生大的影响，但到2nm时，就没法控制了，必须有进一步手艺革新才行。
怎样在缩短栅极宽度的同时，还淘汰源、漏南北极的电场对栅极的滋扰？那就是要改变质料的特征了，使栅极更稳固。
之前芯片厂商，已经试过许多措施，好比在芯片质料中掺杂磷原子，然后再对这个混淆物举行加热退火，提高磷原子平衡浓度，激活活性，提高导电性能。
但现在这项手艺也遇到了一些难题，通俗的掺杂工艺不行，磷原子的平衡浓度不够高，达不到要求，而且在举行加热退火处置惩罚时，还可能会导致晶体管膨胀。
于是克日，康奈尔大学的研究职员提出了一种新的提高磷的平衡浓度的要领：微波工艺。
在试验的历程中，研究职员把掺杂磷原子的芯片，放到革新后的家中微波炉中举行测试，发现微波工艺，可以使得芯片质料中的掺杂原子被激活，还不会泛起晶体管膨胀的状态。
现在康奈尔大学的James Hwang与博士后詹卢卡 ・ 法比（Gianluca Fabi）配合申请了微波退火器的两项专利，同时相关论文已揭晓于 Applied Physics Letters。
研究职员展望，这一项手艺在2025年就会应用于芯片制造上。
而2025年，台积电的2nm芯片可能就会量产了，以是也就是说，2nm芯片的制造，除了EUV光刻外，可能还需要加一个微波设备了。
